韩国AI芯片初创企业FuriosaAI于2026年9月21日公布了其第三代AI推理加速器的完整技术规格。这款与博通（Broadcom）合作开发的芯片，采用2颗2nm计算裸晶与1颗独立I/O裸晶的架构设计，搭配12个48GB HBM4(E)内存堆栈，支持PCIe Gen7接口，并采用博通SUE拓扑实现机架内全连接。根据官方披露的数据，该芯片物理尺寸约为上一代产品RNGD的8倍，算力达到32 PFLOPS，内存带宽达48TB/s，两项指标均为RNGD的32倍。
从规格参数来看，第三代加速器的性能提升并非简单的晶体管堆叠。2颗"光罩极限级"2nm计算裸晶意味着FuriosaAI在制程节点上直接跨越了两代——其第二代产品RNGD尚采用台积电5nm工艺。独立I/O裸晶的加入，则表明芯片在设计层面将计算单元与数据吞吐单元解耦，以应对大模型推理场景下日益严峻的内存带宽瓶颈。
内存配置方面，576GB的HBM4(E)容量是RNGD的12倍，而48TB/s的带宽数据则达到了32倍提升。可以推断，这种容量与带宽的非对称性增长，反映出设计团队对Token密度——即单位时间内可处理的Token数量——的极致追求，而非仅仅着眼于单次推理的算力峰值。
值得关注的是，这颗芯片并非以传统PCIe板卡形态独立存在。据财联社2026年5月28日报道，FuriosaAI与博通官宣合作时便明确了机架级系统出货的目标。此次公布的SUE全连接拓扑，正是博通为大规模AI集群提供的互联方案，旨在解决多卡协同时的通信瓶颈。按照计划，该芯片将于2028年上半年出样。
此前，FuriosaAI的第二代产品RNGD（台积电5nm工艺、180W功耗、BF16算力256 TFLOPS、HBM3带宽1.5TB/s、PCIe Gen5）已被三星SDS、LG AI Research部署于风冷数据中心。第三代产品在性能倍数上的夸张跃升，显然指向了更高密度的液冷数据中心场景。
FuriosaAI的背景故事为这次技术发布增添了更多看点。2025年3月，该公司曾拒绝Meta约8亿美元的收购要约，选择独立发展。这家由出身三星、AMD的白准铉（June Paik） 创立、员工约150人的公司，目前客户已覆盖LG AI Research、沙特阿美等机构。
从行业角度来看，FuriosaAI将第三代产品定位为「Token工厂时代」的机架级推理基础设施，主打每瓦性能与Token密度，意图在英伟达主导的AI加速市场中开辟差异化赛道。目前所有规格均系公司官方披露口径，实际量产交付后的真实性能与生态适配情况，仍待时间验证。
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